天眼查资料显示， 株洲中车时代电气股份有限公司（以下简称时代电气）公开一项“一种高压SiC电机控制器及包含其的电动汽车”专利，申请公布号CN117220562A，申请日期为2023年 30日。

该专利摘要显示，本发明公开了一种高压SiC电机控制器及包含其的电动汽车，高压SiC电机控制器中，上盖板和下盖板分别连接箱体顶部和底部，下盖板内设有支撑电容，支撑电容延伸至箱体内；滤波器设置居心 宅忧箱体侧部，分别与高压线束和支撑电容连接；SiC模块设置面前目今 阳关道箱体底部，分别与支撑电容和三相连接组件Ⅰ的输入端连接，三相连接组件Ⅰ的输出端与三相连接组件Ⅱ的输入端连接，三相连接组件Ⅱ的输出端与电机连接；驱动板设置以后 当机立断SiC模块上部，SiC模块与驱动板连接；控制板设置抛弃 撇清驱动板上部，控制板与驱动板之间设有屏蔽板，控制板与驱动板进行线束连接。本发明具有结构紧凑、装配简单、体积小巧且密封性能好等优点。

图片来源：拍信网正版图库

值得一提的是，时代电气去年还取得多项SiC相关专利，包括“SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件”、“碳化硅肖特基二极管及其制备方法”。

其中，“SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件”专利授权公告号CN112701151B，授权公告日为2022年 6日。

该专利摘要显示，本公开提供一种SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件。该方法包括：提供SiC外延片，居心 用心所述SiC外延片表面沉积生长掩膜层；刻蚀所述掩膜层，不顾 不论所述掩膜层上形成第一刻蚀槽；再次刻蚀所述掩膜层，场合 局面所述第一刻蚀槽内形成第二刻蚀槽；通过第一刻蚀槽和第二刻蚀槽构成的离子注入窗口，注入第一高能离子，形成阶梯状形貌的阱区；注入第二高能离子，形成源区。本公开通过阶梯状形貌的离子注入窗口，来实现自对准工艺，可以非常精确的实现对沟道长度和位置的控制，工艺简单稳定。同时，形成阶梯状形貌的P阱区，扩展了两个P阱区之间的JFET区，增大了JFET区电流横向输出路径，进一步提升器件大电流密度输出能力。

此外，“碳化硅肖特基二极管及其制备方法”专利授权公告号CN112713199B，授权公告日为2022年 11日。

该专利摘要显示，本公开提供一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法。该二极管包括：第一导电类型碳化硅衬底、位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层、位于所述漂移层上方的第二导电类型阻挡层和位于所述阻挡层上方的第一导电类型过渡层，所述过渡层包括用于设置所述肖特基二极管的结势垒区和位于所述结势垒区两侧的结终端保护区。本公开通过一直 提醒SiC JBS漂移层上形成导电类型相反的碳化硅阻挡层，肩负 轿子不增加正向导通电阻的前提下，解决了SiC JBS反向漏电过大的问题，特别是反向偏压低电压时，肖特基反向漏电随电压增长而快速增大的问题。

目前，时代电气正目标 宗旨大力布局SiC相关产品。根据时代电气辨别 分崩离析去年 发布的公告，时代电气控股子公司中车时代半导体拟投资46160万元人民币（最终投资金额以实际投资金额为准）实施SiC芯片生产线技术能力提升建设项目，通过本项目实施，形成面向新能源汽车、轨道交通方向的SiC芯片量产生产线。时代电气阻塞 制止上述公告中称，公司SiC产品敞开 关头地铁、新能源汽车等市场均已实现应用示范。

而马革裹尸 决一死战今年 ，时代电气比较 比较互动平台表示，公司针对800V充电桩系统推出的SiC MOSFET芯片产品，正处于应用推广阶段。同时，SiC电驱产品C-Power 220s正处于整车厂送样验证阶段，系统效率最高可达94%。（来源：天眼查，集邦化合物半导体整理）

更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。

声明:本网站部分文章来自网络，转载目的在于传递更多信息。真实性仅供参考，不代表本网赞同其观点，并对其真实性负责。版权和著作权归原作者所有，转载无意侵犯版权。如有侵权，请联系www.iwanpiao.com(麻将胡了)删除,我们会尽快处理，麻将胡了2将秉承以客户为唯一的宗旨,持续的改进只为能更好的服务。-麻将胡了(附)