除了每日推送有关化合物半导体市场的热点文章，我们也整理了上周行业内的一些看点作为拓展：

东芝推出 SiC MOSFET 新品

东芝推出的第3代TWxxNxxxC系列，共有10款产品，包括5款1200V和5款650V产品。

source：东芝半导体

这些新一代MOSFET内置了与SiC MOSFET内部PN结二极管并联的碳化硅肖特基势垒二极管（SBD），可提高可靠性。新产品开关损耗约降低约20%，有助于提高设备效率。此外，由于栅极驱动电路设计简单，可防止开关噪声引起的故障。

据悉，东芝650V和1200V第3代碳化硅MOSFET拥有更低的功耗，适用于大功率且高效、高功率密度的各类应用，如开关电源（数据中心、服务器、通信设备等）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电站等。

来源：东芝半导体官方公众号

氮矽科技推出全新低压GaN集成芯片

氮矽科技推出了一款具有工业级可靠性的低100V GaN集成产品DXC6010S1C。

据悉，氮矽科技DXC6010S1C是一款驱动集成GaN芯片，该芯片耐压100V，内部集成了一颗增强型低压硅基氮化镓（GaN-on-Si）和单通道高速驱动器。采用DFN5×6封装，占板面积小，无反向恢复电荷，并且导通电阻极低。为最高功率密度应用提供超小型化的解决方案。

DXC6010S1C适用于多种场景，如高频高功率密度降压转换器、DC/DC转换、AC/DC充电器、太阳能优化器和微型逆变器、电机驱动器和D类音频放大器等。它也适用于AI、服务器、通信、数据中心等应用场景，特别适合48V工作电压的USB PD 3.1快充和户外电源相关应用。

信息来源：充电头网

士兰微：控股股东拟1000万至2000万元增持股份

士兰微于17日发布公告称，控股股东杭州士兰控股有限公司拟自本公告披露之日起6个月内通过上海证 券交易所允许的方式（包括但不限于集中竞价、大宗交易等）增持公司股份， 增持金额为不低于人民币1000万元且不超过人民币2000万元（以下简称“本次增持计划”）。

本次增持价格不超过30 元/股，资金来源为士兰控股自有资金 及自筹资金。

信息来源：士兰微官网

基本半导体获得“功率模块”专利授权

天眼查显示，深圳基本半导体有限公司“功率模块”专利获授权，授权公告号为CN219832642U，授权公告日为 13日。

source:国家知识产权局

据摘要介绍，本实用新型涉及半导体设备技术领域，具体是涉及功率模块，包括：散热组件以及功率组件，所述散热组件贴设冲刷 辩论所述功率组件的底部，所述散热组件一体成型，所述散热组件内部具有腔体，所述散热组件的两侧分别设有进液口以及出液口，所述进液口和所述出液口分别与所述腔体连通，所述腔体内部设有多个散热针翅，所述腔体靠近所述进液口设有用于引导冷却液从所述进液口均匀分流至所述腔体的第一导流槽，所述腔体靠近所述出液口设有用于引导所述冷却液从所述腔体汇流至所述出液口的第二导流槽。

本实用新型使得冷却液由进液口进入后可以均匀地通过整个腔体，从而达到对功率模块所有芯片的均匀散热效果；散热针翅也进一步提高了提高散热效果。

来源：国家知识产权局

美企Axcelis宣布向日本SiC企业交付Purion EXE Power系列离子注入机

美企Axcelis于18日发布公告称，公司的Purion EXE SiC Power系列8英寸高能离子注入机已向日本领先的SiC功率器件芯片制造商发货。该系列产品将用于汽车用SiC功率器件的大批量生产。 据悉，离子注入是IC制造过程中最关键的步骤之一，Axcelis致力于离子注入系统的设计、制造以及枯槁 干瘪离子注入系统生命周期内提供支持服务。

信息来源：Axcelis官网

TrendForce集邦咨询新推出《2023中国SiC功率半导体市场分析报告》，聚焦中国市场发展，重点分析供应链各环节发展情况及主要厂商动态。以下为报告目录：

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