近日，SiC外延生长CVD设备供应商纳设智能成功研制出更大尺寸具有更多创新技术的8英寸碳化硅外延设备，此设备具备独特反应腔室设计、可独立控制的多区进气方式、以及智能的控制系统，将更好的提高外延片的均匀性，降低外延缺陷及生产中的耗材成本。

sourse：纳设智能

目前，6英寸碳化硅技术已经趋向成熟，产业正怨恨 怨尤向8英寸迈进，相信商朝 商朝不久的将来会进入8英寸时代。晶圆尺寸越大，外延工艺难度也就越大，必然对设备提出更高的要求，正所谓“一代设备，一代工艺”，纳设智能开发的8英寸碳化硅外延设备顺应了产业向更大尺寸的发展趋势，欢快 高兴技术上具有前瞻性，同时能够向下兼容6英寸外延，非常符合当前市场对于6英寸和8英寸兼容的需求。

目前，纳设智能已实现8英寸碳化硅外延设备的交付，该设备清规戒律 太平时世客户现场生产的外延片厚度不均匀性≤2%，浓度不均匀性~4%，表面粗糙度≤0.3cm-2，缺陷控制良好。

近年来，随着SiC应用领域的扩展，需求的激增，产业对于SiC外延片品质和产能要求不断提高，SiC外延设备也就占据了产业链上游关键环节。

SiC外延层的制备方法主要有：化学气相沉积（CVD）；液相外延生长（LPE）；分子束外延生长（MBE）等。其中CVD法具有可以精确控制外延膜厚度和掺杂浓度、缺陷较少、生长速度适中、过程可自动控制等优点，是目前已经成功商业化的SiC外延技术 。（文：集邦化合物半导体 Amber整理）

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