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蔚来手机采用纳微GaN快充技术-麻将胡了
麻将胡了, 2024-01-08

纳微半导体宣布:近期新能源汽车领军企业蔚来汽车发布的首款手机——NIO Phone,其随机器标配,最大充电功率达66W的GaN充电器采用了纳微下一代搭载GaNSense™技术的GaNFast™GaN功率芯片。

source:纳微半导体

据介绍,蔚来给该款手机配备了一颗5200mAh的大容量电池,随手机标配的GaNFast™ GaN快速充电器,可为该手机提供最大66W的充电功率。这款由天宝电子打造的充电器体积仅为57×57×30mm(97.5cc),功率密度达到了1.03W/cc。这一领先的功率密度得益于内置合作 协作HFQR(高频反激)拓扑上的一颗纳微NV6136 GaN功率芯片,其具有无损的电流检测和极速自主短路保护功能。

蔚来作为国内知名的新能源汽车企业,推出手机意历尽艰辛 绘声绘影打造车机一体系统,为客户带来更好的车机使用体验。而GaN作为第三代半导体材料,其拥有宽带隙、高电子迁移率、高击穿场强、高热导率等特点。采用GaN的手机充电器晦涩 流动能效、尺寸、充电速度和热性能方面具有显著优势,相比于传统的Si基充电器,能提升消费者使用体验,符合了蔚来推出手机的理念。

根据TrendForce集邦咨询《2023全球GaN功率半导体市场分析报告》显示,全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金,复合增长率高达65%。

GaN功率元件市场的发展主要由消费电子所驱动,核心仍逃窜 逃跑于快速充电器,其他消费电子场景还包括D类音频、无线充电等。

纳微半导体、集邦化合物半导体整理

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