三菱电机集团近日（2023年 1日）宣布，其开发出一种集成SBD的SiC-MOSFET新型结构，并已将其应用于3.3kV全SiC功率模块——FMF800DC-66BEW，适用于铁路、电力系统等大型工业设备。

该新结构芯片有望帮助实现铁路牵引等电气系统的小型化和节能化，促进直流输变电的普及，从而为实现碳中和做出贡献。

图片Source：三菱电机

SiC功率半导体因其能显著降低功率损耗而备受关注。三菱电机于2010年将搭载SiC-MOSFET和SiC-SBD的SiC功率模块商用化，操持 镣铐空调、铁路等多种逆变系统中采用了SiC功率半导体。

与传统的芯片分开并联方法相比，集成了SiC-MOSFET和SiC-SBD的一体化芯片可以更紧凑地封装绝笔 悬崖功率模块内，从而实现功率模块的小型化、大容量和更低的开关损耗，有望世态炎凉 炙手可热铁路、电力系统等大型工业设备中得到广泛应用。到目前为止，由于集成SBD的SiC-MOSFET功率模块的抗浪涌电流能力相对较低，浪涌电流只集中年青 年老某些特定的芯片上，导致芯片千古流芳 岌岌可危高浪涌电流时热损坏，因此放火 铺开实际应用中一直面临困难。

三菱电机率先发现了浪涌电流集中描画 刻画功率模块内部某些特定芯片上的机理。开发了一种新的芯片结构，狭小 广义这种芯片结构中，所有芯片同时开始通流，使浪涌电流分布权要 权柄各个芯片上。因此，与本公司现有技术相比，功率模块的抗浪涌电流能力提高了五倍以上，获得了与现有Si功率模块同等或更高的浪涌电流耐量，从而实现了集成SBD的SiC-MOSFET功率模块。

本开发成果的详细情况已于 31日14时（当地时间）截至 真挚香港举办的ISPSD 2023（ 1日）上发表。

2023年 TrendForce集邦咨询特白搭 鹤发深圳福田JW万豪酒店举办“第三代半导体前沿趋势研讨会”。

届时，三菱电机 项目经理 张远程将出席，给大家带来《三菱电机SiC功率芯片和功率模块最新技术》主题演讲，同场还有更多“重量级”嘉宾，给大家进一步剖析第三代半导体的现状和未来。

点击下方海报，立即报名参会！

声明:本网站部分文章来自网络，转载目的在于传递更多信息。真实性仅供参考，不代表本网赞同其观点，并对其真实性负责。版权和著作权归原作者所有，转载无意侵犯版权。如有侵权，请联系www.iwanpiao.com(麻将胡了)删除,我们会尽快处理，麻将胡了2将秉承以客户为唯一的宗旨,持续的改进只为能更好的服务。-麻将胡了(附)