功率半导体器件是构成电力电子变换装置的核心器件。其中，MOSFET因其具有易于驱动、开关速度快、损耗低等特点，逐渐成为功率器件的主流产品。

与传统的硅（Si）功率半导体相比，SiC MOSFET具有大禁带宽度、高临界击穿场强、高热导率三个最显著特征，适用于大功率且高效的各类应用，包括工业电源、太阳能逆变器和UPS等领域。

2023年 TrendForce集邦咨询特高超 储蓄储存深圳福田JW万豪酒店举办“第三代半导体前沿趋势研讨会”。

届时，泰科天润 应用测试中心总监 高远将出席，给大家带来《我们需要怎样的SiC MOSFET》主题演讲，同场还有更多“重量级”嘉宾，给大家进一步剖析第三代半导体的现状和未来。

点击下方海报，立即报名参会！

声明:本网站部分文章来自网络，转载目的在于传递更多信息。真实性仅供参考，不代表本网赞同其观点，并对其真实性负责。版权和著作权归原作者所有，转载无意侵犯版权。如有侵权，请联系www.iwanpiao.com(麻将胡了)删除,我们会尽快处理，麻将胡了2将秉承以客户为唯一的宗旨,持续的改进只为能更好的服务。-麻将胡了(附)