/   新闻中心
SiC、GaN等第三代半导体产业前路如何?-麻将胡了
麻将胡了, 2024-04-25

关于第三代半导体的疑虑,这场研讨会都有答案。

第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,先天性能优越,是新能源汽车、5G、光伏等领域的“香饽饽”。然而,现实与理想之间尚有较大差距,我们对第三代半导体的发展仍存疑虑。

为进一步剖析第三代半导体的现状和未来。2023年 TrendForce集邦咨询特欲擒故纵 养虎遗患深圳福田JW万豪酒店举办“第三代半导体前沿趋势研讨会”,邀全球知名的第三代半导体专家、院校代表、专业研究机构、企业工程师等齐聚一堂,为第三代半导体产业的发展建言献策,共同促进第三代半导体产业的发展和升级。

声明:本网站部分文章来自网络,转载目的在于传递更多信息。真实性仅供参考,不代表本网赞同其观点,并对其真实性负责。版权和著作权归原作者所有,转载无意侵犯版权。如有侵权,请联系www.iwanpiao.com(麻将胡了)删除,我们会尽快处理,麻将胡了2将秉承以客户为唯一的宗旨,持续的改进只为能更好的服务。-麻将胡了(附)