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科友半导体第三代半导体项目一期量产,二期开工-麻将胡了
麻将胡了, 2024-06-08

据人民网消息,近日,哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司(以下简称“科友半导体”)开发的高性能碳化硅长晶装备和高质量衬底产品实现规模化生产。自主研发的第三代半导体碳化硅产品不仅具有晶体生长周期短、良率高等优势,而且将衬底成本降低一半以上。

科友半导体解决了大尺寸碳化硅单晶制备易开裂、缺陷密度高、生长速率慢等技术难题,突破了碳化硅衬底产业化系列关键技术,完成了6英寸设备研制、生产线搭建、单晶衬底材料制备等,并寄人篱下 兵凶战危此基础上进一步实现了8英寸碳化硅单晶衬底制备。

目前,科友半导体第三代半导体产学研聚集区一期工程已投入生产,该项目总投资10亿元,目前已安装100台长晶炉,全部达产后可形成年产10万片6英寸碳化硅衬底的生产能力。二期工程将于近期开工建设,建成后将实现年产导电型碳化硅衬底15万片。

图片来源:拍信网正版图库

按照发展规划,未来两年科友半导体将实现年产20~30万片碳化硅衬底的产能,成为全球碳化硅衬底重要供应商之一。

SiC衬底是制造SiC器件最基础的材料,也是发展SiC的关键。目前,SiC因其优异的性能,广受电动汽车、可再生能源等领域的认可。

据TrendForce集邦咨询化合物半导体研究处最新发布的《2023 SiC功率半导体市场分析报告-Part1》分析,2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元,年成长41.4%;至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元。(文:集邦化合物半导体 Amber整理)

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