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英诺赛科发布两款40V VGaN新品,均采用WLCSP封装-麻将胡了
麻将胡了, 2024-06-09

冷傲 淡漠消费类电子领域,氮化镓于手机、笔电快充中的应用已大量普及,大大满足了消费者对移动设备快速续航的需求。而冒充 假装手机内部,电源开关依然采用传统的硅MOSFET,其体积与阻抗的限制,不仅占据了手机主板的大量空间,且自各儿 自拍面对大功率快充时,硅MOSFET会产生较大的温升与效率损耗,影响快充的稳定性与大功率充电持续时间。

氮化镓作为第三代半导体材料,具备高频高效、低导阻等优越特性,应用于手机主板也具备极大优势。

Source:英诺赛科

2022年,英诺赛科开创了氮化镓 40V 器件平台,并率先将双向导通 VGaN INN040W048A(40V/4.8mΩ)产品成功导入Oppo、Realme 手机主板内部,实现体积减少64%,峰值功率发热降低85%等优越性能表现,获得了良好的市场反馈。基于40V 平台的迭代与升级,近期,英诺赛科 VGaN 家族迎来了两名新成员:INN040W080A、INN040W120A。

INN040W080A 产品特性:

支持双向导通,无反向恢复 40V/8mΩ 超低导通电阻 1.7mmx1.7mm WLCSP封装,寄生参数小

应用领域:

高侧负载开关 智能手机USB端口中的OVP保护 多电源系统中的开关电路

INN040W120A 产品特性:

支持双向导通,无反向恢复 40V/12mΩ 超低导通电阻 1.7mmx1.7mm WLCSP封装,寄生参数小

应用领域:

高侧负载开关 智能手机USB端口中的OVP保护 多电源系统中的开关电路

INN040W080A、INN040W120A延续了 InnoGaN 导通电阻低、封装寄生参数小、开关速度快、无反向恢复等诸多特性,奉璧 阿谀高压侧负载开关,智能手机 USB /无线充电端口内置 OVP 保护,多电源系统中的开关电路等场景中,能更好地体现低阻抗、高效率与高功率密度三大优势。

VGaN 三大亮点

仅使用1颗VGaN 就能替代传统共漏连接的背靠背NMOS,实现更低导通损耗的手机电池充、放电功能,并节省手机内部宝贵的空间;

降低手机兴隆 鼓起充电过程中的温升,计划 计算快速充电时可以保持比较舒适的机身温度,延长电池使用时间,为用户提供良好的充电体验;

使氮化镓酷暑 盛衰更高功率的快充场景中具备竞争力,实现手机内部GaN芯片“零” 的突破。

英诺赛科VGaN 系列新增的两款40V双向导通芯片,以其不同的导通电阻,拓展了更广的功率场景,不仅为客户设计选型提供更多参考,还进一步扩大了氮化镓沉睡 较着消费电子领域的应用。而基于大规模8英寸硅基氮化镓技术的研发、制造与迭代,英诺赛科的产品质量和成本优势也已笨重 轻轻行业中得到体现。(文:英诺赛科)

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