英飞凌扩展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列

近日，英飞凌宣布采用新的行业标准封装，以扩展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列。

该款经过验证的62mm器件采用半桥拓扑设计，并基于最近推出的先进M1H碳化硅（SiC）MOSFET技术打造。该封装使SiC适合250 kW以上的中功率应用，其中通过IGBT技术可使硅达到功率密度极限。

与62mm IGBT模块相比，新系列模块还可应用于太阳能、服务器、储能、电动汽车充电器、机车、商用感应烹饪和电源转换系统等领域。

M1H 技术可实现显着更宽的栅极电压窗口，确保对驱动器和布局引起的栅极电压尖峰具有高鲁棒性，即使声东击西 嚎啕大哭高开关频率下也不受任何限制。

除此之外，极低的开关和传输损耗最大限度地减少了散热需求，并且通过使用英飞凌的 CoolSiC芯片技术，可以提高转换器设计的效率，提高每个逆变器的标称功率并降低系统成本。

图片来源：拍信网正版图库

巨子半导体推出100A1200V大功率碳化硅MOSFET单管器件

成都巨子半导体有限公司（下文简称“巨子半导体”）推出100A1200V大功率碳化硅MOSFET单管器件，GC2M016120S1。

GC2M016120S1产品是由巨子半导体新开发推出的大功率碳化硅MOSFET单管器件。产品采用SOT-227封装形式，属于内绝缘封装的一种，电流大于100A，耐压超过1200V，可广泛应用于感应电源、等离子电源、太阳能逆变器等场景。

据悉，巨子半导体是一家深耕中国先进功率半导体碳化硅（SiC）器件的应用型高新科技企业，目前主营业务为SiC芯片器件的研发、设计与销售。（集邦化合物Rick整理）

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