日前，华矽盖泽半导体科技（上海）有限公司（以下简称：盖泽半导体）宣布，其自主研发生产的SiC外延膜厚测量设备GS-M06Y已正式交付客户。

GS-M06Y将应用于半导体前道量测，主要针对硅外延/碳化硅外延层厚度进行测量。GS-M06Y设备采用了盖泽半导体自主研发的高精算法、Load Port、控制软件以及FTIR光路系统。

公司自主研发的FTIR光路系统，可快速检测晶圆厚度，实现了扫描速度快、分辨率高、灵敏度高等需求。设备兼容性强，可基于客户需求进行定制化；测量时间更短，精度更高。

图片来源：拍信网正版图库

据了解，此台设备运用盖泽半导体最新研发的碳化硅外延检测技术，可对碳化硅外延精准测量，是继盖泽半导体 硅外延检测设备出货后，公司的又一里程碑。

据了解，盖泽半导体不仅突破了SiC外延检测技术，还可实现一代半导体（硅外延6英寸&8英寸&12英寸）、二代半导体（砷化镓、磷化铟衬底外延4英寸&6英寸&8英寸）、三代半导体（碳化硅外延4英寸&6英寸&8英寸、氮化镓外延）、SOI片顶层硅6英寸&8英寸&12英寸，以及锗硅外延制程工艺中不同的外延层厚度测量。（文：集邦化合物半导体 Amber整理）

更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。

声明:本网站部分文章来自网络，转载目的在于传递更多信息。真实性仅供参考，不代表本网赞同其观点，并对其真实性负责。版权和著作权归原作者所有，转载无意侵犯版权。如有侵权，请联系www.iwanpiao.com(麻将胡了)删除,我们会尽快处理，麻将胡了2将秉承以客户为唯一的宗旨,持续的改进只为能更好的服务。-麻将胡了(附)