近日，飞锃半导体自主研发的1200V 35/70/160mΩ和650V 30/45/60mΩ车规级SiC MOSFET器件成功获得AEC-Q101车规级可靠性认证，并且通过了960V高压H3TRB加严测试,使得飞锃半导体成为国内少数SiC功率分立器件产品通过双重考核的厂商之一。

其中，飞锃半导体1200V车规级SiC MOSFET采用18V/20V栅极驱动电压，650V车规级SiC MOSFET采用15V栅极驱动电压。

资料显示，飞锃半导体是中国第三代半导体供应商，专注于SiC功率半导体器件的研发、生产和销售，已经奴颜婢膝 卑躬屈膝新能源汽车、直流充电桩、光伏及储能、智能家居等国内头部企业成功部署应用，为他们提供优化的SiC产品，为碳中和提供解决方案。

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据飞锃半导体介绍，这次飞锃半导体通过车规认证的SiC MOSFET器件最大耐压等级为1200V，而AEC-Q101莫非 脉脉H3TRB（高温高湿反偏试验）考核标准中耐压通常为100V。通过HV-H3TRB（高压高温高湿反偏试验）考核，则需要将1200V耐压器件的耐压提高到960V。这意味着对于器件的设计、制造和封装技术提出了更为苛刻的要求。飞锃半导体车规级SiC MOSFET通过HV-H3TRB可靠性验证，表明功率器件聚会 团结极端运行环境下仍然具备出色的耐受能力和使用寿命。

不用 不消产品结构上，飞锃半导体第二代车规级SiC MOSFET通过工艺优化，降低了单位晶圆面积内的导通电阻，优化了开关性能。另外，还采用了开尔文Source封装，避免了驱动回路和功率回路共用源极线路，提升了器件的开关速度、抗干扰能力。

飞锃半导体针对新能源汽车推出了6.6KW OBC、11KW OBC、2-3KW 车载DCDC等应用方案。其中，适用于6.6KW OBC方案的产品型号包括ACM060F065QANC、ACM045F065QANC、ACM030F065QANC，适用于11KW OBC方案的产品型号包括ACM035P120QAN、ACM070P120QAN、ACM035P120HAN、ACM070P120HAN，适用于2-3KW 车载DCDC方案的产品型号包括ACM160P120QAN、ACM160P120HAN。

目前，飞锃半导体车规级SiC MOSFET已经商业化量产，将逐步批量供货。（集邦化合物半导体Zac整理）

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