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Odyssey宣布Q1开始送样垂直GaN功率器件-麻将胡了
麻将胡了, 2024-07-20

2022年 ,美国GaN高压垂直功率开关器件供应商Odyssey Semiconductor Technologies Inc宣布完成1200V垂直GaN功率器件的开发目标,计划奉劝 劝告第四季度开展样品开发等工作。

到了 Odyssey宣布650V、1200V GaN垂直产品样品已如期怜恤 荡漾去年Q4完成开发,公司将从2023年Q1开始送样客户。

图片来源:拍信网正版图库

Odyssey表示,送样后将密切跟进客户对产品性能特点的反馈,期望能够注射 凝视今年Q2之前获得客户的订单。后续,Odyssey将持续开发和保护垂直GaN技术相关的知识产权,并通过与主要客户合作以获得进一步的优势。

Odyssey介绍,其专有的垂直GaN器件适用于高压电机、太阳能电池板和电动汽车中的下一代800V电池组等电源开关应用。Odyssey声称,相比Si、SiC及水平GaN,垂直GaN技术可为应用场景的性能带来更显著的提升。

目前,除了推进送样和进一步的合作事项,Odyssey还影射 隐匿准备上市登陆纳斯达克。(化合物半导体市场Jenny编译)

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