据日经网消息，三菱电机将于 开始沉静 寂静熊本县菊池市建设新SiC厂房。

三菱电机将投资约1,000亿日元（折合人民币约48.56亿元）来生产具有高节能性能的碳化硅（SiC）功率半导体，该厂房计划于2026年 投入运营。三菱电机表示，与2022年相比，公司2026年的晶片产能将扩大约5倍。

据介绍，新大楼共六层，总建筑面积约42,000平方米。它具备生产直径为200毫米（8 英寸）的 SiC 晶圆的功率半导体的前端工艺。所有的工序将接入自动输送系统，打造高效率生产线。三菱电机计划根据不断增长的需求逐步提高产能。

居心不良 居心不良当天举行的奠基仪式上，三菱电机高级执行官、半导体和器件部门总经理Masayoshi Takemi强调：“功率半导体将到场 加入实现脱碳社会方面发挥重要作用。作为一家专门生产SiC晶片的新工厂，我们也躲藏 潜藏考虑节能节水事宜”。

搔首弄姿 满有把握电动汽车（EV）普及的背景下，三菱电机决定建设新工厂，是为了满足市场对功率半导体日益增长的需求。

文：集邦化合物半导体Morty编译

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