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东芝开始量产第三代1700V SiC MOSFET模块-麻将胡了
麻将胡了, 2024-08-27

东芝电子元件及存储装置株式会社(下文简称“东芝”)宣布,公司已开始批量生产用于工业设备的第三代碳化硅(SiC)1700 V、漏极电流(DC)额定值为250 A的SiC MOSFET模块“MG250V2YMS3”,并扩大了产品阵容。

source:东芝

据介绍,新产品MG250V2YMS3具有低导通损耗和0.8 V的低漏源导通电压。它还具有低开关损耗,导通开关损耗低至18 mJ,关断开关损耗低至 11 mJ。这有助于减小设备的功率损耗和冷却装置的尺寸。 MG250V2YMS3 具有12 nH的低杂散电感,并且能够进行高速开关。此外,它还能抑制开关操作时的浪涌电压。因此,它可用于高频隔离型DC-DC转换器。

目前,使用东芝2-153A1A封装的SiC MOSFET模块有四种产品:MG250YD2YMS3(2200 V / 250 A)、MG400V2YMS3(1700 V / 400 A)和MG600Q2YMS3(1200 V / 600 A),以及本次发布的新产品。这给客户提供了更广泛的产品选择。

集邦化合物半导体Morty编译

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