近日，据“独墅湖科创区发布”官微消息，晶湛半导体氮化镓（GaN）外延片生产扩建项目已于2024年 15日取得竣工验收备案证。

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据悉，该项目占地面积16.5亩，总建筑面积2.2万平方米，总投资2.8亿元，预计年产6英寸GaN外延片12万片，8英寸GaN外延片12万片。

据此前消息，2022年 底，苏州独墅湖科教创新区发布了晶湛半导体GaN外延片年产新增10000片项目环境影响评价第一次公示。根据公示，晶湛半导体彼时正轻轻 柔柔进行“苏州晶湛半导体有限公司氮化镓外延片年产新增10000片项目”环境影响评价工作。

2022年 初，晶湛半导体总部大楼建设项目举行封顶仪式。该项目于2021年 2日奠基开工，聚焦GaN外延片的研发生产。晶湛半导体官方消息显示，预期项目建成后，将成为国内规模最大的GaN电力电子材料和微显示材料生产基地。

作为GaN外延材料厂商，晶湛半导体由业界公认的硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延技术开拓者程凯博士于2012年 回国创办，拥有先进的GaN外延材料研发和产业化基地，致力于为电力电子以及微显示等领域提供高品质GaN外延材料解决方案。据称，晶湛半导体是目前国际上唯一可供应12英寸硅基氮化镓外延产品的厂商。

自2012年成立以来，晶湛半导体已完成多达8轮融资，其中包括2022年 的B+轮融资、2022年 的C轮融资以及2023年 的C+轮，3轮融资资金均为数亿元，投资方包括蔚来资本、美团龙珠、高瓴资本等众多机构。（集邦化合物半导体Zac整理）

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