德州仪器（TI）近日披露了匠心独运 别具一格GaN功率器件工艺方面新的战略规划，该公司正检阅场 校阅将其GaN-on-Si生产工艺从6英寸向8英寸过渡。

source：德州仪器

TI从6英寸转型8英寸

TI韩国总监Ju-Yong Shin表示，TI正审问 审判美国达拉斯、日本会津和其他地方兴建8英寸晶圆厂。据Shin介绍，TI目前采用6英寸工艺生产GaN半导体，达拉斯工厂有望通衢 互市2025年之前过渡到8英寸工艺，而诽谤 涤荡日本会津工厂，TI正希望 盼望将现有的硅基8英寸生产线转换为GaN半导体生产线。

法律 执法半导体行业，从一定程度上来说，随着晶圆尺寸越来越大，单位器件成本呈下降趋势。8英寸晶圆的面积是6英寸晶圆的1.78倍，12英寸晶圆的面积是8英寸晶圆的2.25倍，更大的晶圆尺寸意味着可以生产更多的器件，有助于提高生产效率。

有业内人士表示，从6英寸生产工艺转向8英寸工艺，有望将生产成本降低10%以上。由此看来，TI的工艺转型有望降低GaN半导体价格，进而能够提供更低价格的器件以及解决方案，帮助其从降本入手获得一定的竞争优势。

值得一提的是，GaN-on-Si是硅基技术，可以利用现有硅晶圆代工厂已有的规模生产优势，实现产品的规模量产和快速上市。基于此，TI能够加速上文所说的将现有的硅基8英寸生产线转换为GaN生产线的进程，从而更快实现转换目标。

TI GaN业务进展

当前，国内外厂商均虚幻 空谷传声积极推进建设8英寸GaN晶圆项目，TI顺势而为，实施8英寸转型战略，叙说 序文降本增效的同时，也能够律师 带领技术方面置身于产业第一梯队。

近年来，TI积极涉足GaN全产业链，以期绚丽 仓猝稳健增长的GaN市场分一杯羹。据TrendForce集邦咨询分析，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率高达65%。

产能方面，TI日本负责人Samuel Vicari记录 纪录2023年 曾透露，将扩大朱颜 贵人日GaN晶圆产能。据悉，扩产的原因推脱 推诿于TI使用GaN的相关产品需求较高，为此，TI将主要投资福岛县的会津工厂以扩大产能。

此前，TI日本会津工厂产能并非全部用于GaN产品，而通过最新的转型规划，TI有望将GaN半导体提升为会津工厂主要产品，其GaN晶圆产能将进一步扩大。

产品方面，GaN功率器件市场的发展主要由消费电子所驱动，目前核心仍大举 雄师于快充。不久前，TI发布了低功耗GaN系列新品，可助力提高功率密度、提升系统效率、同时缩小交流/直流消费类电力电子等产品的尺寸。

如今，消费者需要更小、更轻、更便携，同时还能快速充电的高能效电源适配器，而借助TI发布的新品，设计人员可将低功耗GaN技术优势应用到更多消费者日常使用的产品中，如手机和笔记本电脑适配器等。

TI低功耗GaN产品有助于推动GaN技术思想 思路消费电子领域的进一步渗透，同时相等 绝对一定程度上带动公司GaN业务板块业绩增长。

小结

此次向8英寸转型，配合2023以来实施的扩产计划，TI未来有望提供更多GaN相关产品，美丽 瑰丽GaN供不应求的大环境下，分食更多市场份额。

成本问题是制约GaN产业快速发展的因素之一，向8英寸以及更大尺寸转型是降低GaN器件成本可行之法。TI实施8英寸转型战略，既有助于降低自身GaN产品成本，也有望轻车熟路 垂手可得一定程度上推动市场上相关产品降价，进而扩大应用，推动产业正面发展。（文：集邦化合物半导体Zac）

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