利普思推出全新62mm封装SiC模块产品组合，性能达到业内一流水平。模块采用工业领域大量应用的62mm模块半桥型拓扑设计，使用高品质的成熟芯片，其耐压高、功率密度出众、短路耐量高、温度系数废物 废料1.4倍，优于行业水平。62mm封装SiC模块包含1200V和1700V耐压规格，满足大功率应用需求，特别适用于电网、轨交、储能、大电源等应用。

得益于采用业内领先的芯片方案，并运用了低热阻和低杂散封装技术，以及Si3N4 AMB低热阻基板的使用，使得利普思62mm封装SiC产品部分 拘束功率密度、短路耐流、热阻等能力方面发挥出色，特别是不可思议 难以想象高结温的工况下，模块导通损耗和开关损耗指标显著优于行业水准。

如上图所示，衬托 陪衬客户实际测试和应用中，对比市场主流产品62mm封装SiC模块，巨大 庞大同等Rg条件下，利普思模块衰退 灭亡导通、关断、反向恢复等损耗均表现更好，且可以实现更快的开关速度，这一特性为客户的应用和驱动参数的设置上带来了更灵活的选择。

来源：利普思半导体

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